RCVD系列 化学气相沉积炉
用途
RCVD系列化学气相沉积炉广泛适用于高、中、低温CVD工艺，例如：碳纳米管的研制、晶体硅基板镀膜、纳米氧化锌结构的可控生长等等；也可适用于金属材料的扩散焊接以及真空或保护气氛下热处理。量产用版本可交由机械手与自动收料系统承担上料、加料、出料的全流程，使生产在无人值守的条件下连续运行。
主要技术参数
| 设备型号 | RCVD(I)-005/030/01 | RCVD(I)-005/030/01 | RCVD(II)-005/050/02 | RCVD(II)-005/050/02 | RCVD(Ⅱ)-016/460/12 | RCVD(Ⅳ)-010/300/05 |
| 最高温度 | 1100℃ | 1350℃ | 高温区1350℃/低温区1100℃ | 高温区1650℃/低温区1300℃ | 850°C | 1050°C |
| 使用温度 | RT～1050℃ | 850～1300℃ | RT～1300℃/RT～1050℃ | 1300～1600℃/1000～1250℃ | RT～800°C | RT～1000°C |
| 控温精度 | ±1℃ | ±1℃ | ±1℃ | ±1℃ | ±1℃ | ±1℃ |
| 炉管数量 | 1个 | 1个 | 2个 | 2个 | 2个 | 4个 |
| 温区个数 | 1个 | 1个 | 2个 | 2个 | 12个 | 5个 |
| 加热区长度 | 300mm | 300mm | 500mm（200+300） | 500mm（300+200） | 4600mm（恒温区4400mm） | 3000mm |
| 炉管尺寸 | Φ54mm（内径）×1000mm | Φ54mm（内径）×1000mm | Φ54mm（内径）×1950mm/ ×1450mm |
Φ54mm（内径） ×1450mm |
φ165mm（内径）× 约5800mm |
φ104mm（内径） |
| 炉管材料 | 高纯气炼石英管/石英管/刚玉管 | |||||
| 发热元件 | FEC陶瓷纤维加热器/U型硅钼棒 | |||||
| 最大装机功率 | 3kW | 6kW | 6kW | 6kW | 约12kW | 约18kW |
| 选件功能 | C | HMI或PLC控制系统 | ||||
| P | 废气排放系统 | |||||
| Q | 气氛保护系统 | |||||
| R | 记录打印系统 | |||||
| V | 真空系统：单极机械泵或机械泵+扩散泵机组 | |||||
| 备注 | 以上设备系统具备冷态极限真空6.67×10⁻² Pa接口条件；其他特殊工艺需求的请在订货时说明。 | |||||
主要技术特点
密封无氧的气氛环境
不锈钢密封箱体配过渡舱与气动闸门，各腔体之间隔离密封，配合氮气置换与流量计控气，反应气与保护气的浓度在长时间运行中保持稳定；密封结构解决了金属与非金属的膨胀差问题，腔体泄漏量始终受控，为碳纳米管的催化生长提供洁净、无氧、可维持的反应条件。
分段独立的温度控制
多管并列、多温区分段控温，让升温、反应、降温各阶段各自处在合适的温度窗口内；进口单回路控温仪配PID自整定，温度偏差稳定收敛；执行元件采用固态继电器结合周波过零触发方式，多温区同时运行时负载电流相对均衡，缓和了负载冲击并改善了积分饱和引起的超调。
上料到收料的全流程自动化
绞龙定量加料替代人工称量，五轴机械手完成升降、旋转、变距、翻转、抓握等搬运动作，并将物料均匀平铺至料盒底部，使催化剂充分接触反应气体；收料端满仓后由传感器触发气力输送入储料桶并充氮平衡压力，全流程由PLC顺序控制串联，人员可撤离作业区改由远程监控。
面向长周期生产的运行保障
超温、欠温、断偶均触发断电报警，并配备紧急备用氮气与备用冷却水，应对腔体泄漏、工作管开裂与断水工况；氧化铝纤维保温配合科学的功率分布，使装机容量贴近实际工艺需求；炉型结构依用户的具体工艺条件确定，而非在标准型号中选配。
