
电容器陶瓷
电容器陶瓷的制备对热处理工艺有着极为严苛的要求。排胶工序需在特定温区缓慢升温,彻底排除生坯中的有机粘合剂,避免产品分层开裂;烧结工序则需在高温下精确控制温场均匀性、升温速率及气氛环境,确保陶瓷介质致密化并形成理想的介电性能。此外,部分产品还涉及烧银、还原、退火等后续热处理工序。这些关键工序的工艺水准,直接决定了电容器的容量精度、温度特性、绝缘电阻与长期可靠性。
工艺需求
片式多层电容器陶瓷
MLCC制造涵盖配料、流延、印刷、叠层、层压、切割、烧结、电镀、测试等十余道工序。其中流延决定介质层厚度下限(量产主流2–5μm),印刷、叠层与层压保证内电极成型精度与层间结合质量,均属精密机械成型范畴。其中,各个热处理工艺的精细程度决定了器件的电气性能与可靠性。
原材料粉体经成型制成生坯后,第一道热处理工艺是排胶:以0.005~0.1℃/min的极缓升温、50–162h的长周期烧除有机粘结剂。在这过程中必须控制严格界面脱粘起始段的速率,速率过快即分层鼓泡、残碳超标(高端产品要求<0.1%)进而导致材料在烧结段出现微裂纹与绝缘失效。
排胶净化的生坯随即进入全制程温度最高的烧结段。生坯在1100~1350℃的中温环境下保温约2小时以完成致密化,且须保证N₂+H₂+H₂O三元气氛下将氧分压精确锁定在10⁻¹⁴~10⁻⁸MPa的窗口内(1300℃下仅6个数量级)。否则,偏氧则镍电极氧化断路,偏还原则瓷体半导化、绝缘崩溃。此外,600~1000℃是镍与瓷体收缩失配的危险区,还须保证材料快速通过以防开裂分层。
还原烧结留下了氧空位,因此必须再氧化修复。通过让材料在在900–1100℃湿氮微氧气氛中回补晶界氧、从而恢复绝缘电阻。这里的难点在于氧沿电极端快速渗入、易过易欠,须与掺杂配方协同控制;处理不足将埋下直流寿命隐患。
瓷体性能修复后,收尾热工序是烧端:700–880℃氮气保护并分段控氧,使端电极玻璃相熔融浸润、锚固于瓷体。在此之后,器件已具备完整的"瓷体—内电极—端电极"结构,随即进入后段整理工序。
相关产品
RZZL系列 钟罩式电阻炉
RZZL系列钟罩式电阻炉广泛应用于磁性材料、电子陶瓷元件、粉末冶金等产品的预烧和烧结,在MLCC(片式多层陶瓷电容器)生产中,可用于排胶后的高温烧结工序,同样可满足采用贱金属内电极(BME)体系的MLCC产品在保护气氛下的烧结需求。设备采用钟罩式结构,升降装置为经典的直线导轨设计,运行平稳无抖动,装卸产品方便、安全,适合叠层生瓷坯整批装烧的生产方式。炉膛隔热与保温分别采用国产氧化铝纤维制品和进口纤维折叠组件两种轻质材料,极低的导热系数和容重使设备温度均匀性达±5℃、控温精度达±1℃,温度均匀性和一致性较传统重质炉衬有本质提升,保障了大批量瓷体烧结收缩的一致性。发热元件采用U型硅钼棒,最高温度可达1650℃,覆盖各类介质瓷料的烧结温度区间;温控采用进口最高64段智能程序温度控制仪,可精确执行多段升温、保温、降温曲线,稳定性与重复性良好。设备可选配HMI或PLC控制系统、气氛保护系统、记录打印系统及真空系统,是MLCC及各类电子陶瓷元件烧结的理想设备。
- 最高温度:1650°C
- 使用温度:RT~1600°C
- 控温精度:±1°C
- 温区个数:1个
- 温度均匀性:±5℃
- 发热元件:硅钼棒
RSDW系列 隧道式网带炉
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- 最高温度:950°C
- 使用温度:RT~850°C
- 控温精度:±1°C
- 温区个数:4~9个
- 网带宽度:150~550mm
- 温度均匀性:±3℃
RFFL 箱式热风循环炉
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- 最高温度:600℃
- 使用温度:RT~550℃
- 控温精度:±1℃
- 温度均匀性:±4℃
- 温区个数:1个
客户案例

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